TX8M226x 是一款高性能低功耗的8051 内核MCU，工作主频最高为48MHz，内置16K 字节LogicFlash 存储器（支持类EEPROM 功能），2K 字节SRAM。
UART、SPI、I2C、PWM输出、LED drive的SEG/COM、比较器输出，可以随意配置任何I/O的位置， 比较器输入、运放输入可以有限配置选择I/O位置，方便用户硬件电路设计。
有两个系列内置Gate driver: TX8M2261系列及TX8M2262系列
TX8M2261特有资源：内部集成了3P+3N 型的40V 三相全桥栅极gate driver，具有三路独立的高低边输出，可以用来驱动全桥电路中的大功率MOSFET 或IGBT。内置了直通防止和死区时间，能够避免被驱动的高低侧MOSFET 或IGBT 直通，有效保护功率器件；内置了5V/50mA LDO，内置LDO 具有短路，过流保护功能；驱动器内置过温保护功能；
TX8M2262特有资源：内部集成了 6N 型的 70V 三相全桥栅极 gate driver，三个独立半桥栅极驱 动器，适合于 12V, 24V 和 36V 的三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动， 同时集成了 12V LDO 控制电路和 MCU 的供电 5.0V LDO，简化了整个供电系统。 内置低 侧电源和高侧电源欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。 输入脚兼容 3.3-5.0V 输入逻辑，集成防穿通死区时间为 250ns，驱动能力为+1.5A/-1.8A。 集成共模噪声消除技术使得高边驱动器在高 dv/dt 噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有 宽范的负瞬态电压忍受能力。
模拟资源：
1 个12 位500KSPS 的SARADC、2 个多功能比较器，3 个运算放大器。
定时器资源：
6 个16 位高级定时器（3 对互补PWM、带死区控制或6 路独立PWM）、
5 个16 位通用定时器（都支持Capture、Count、PWM 功能）、
1 个16 位唤醒定时器(都支持Capture、Count、PWM 功能）、
1 个8 位蜂鸣器（支持PWM、Count 功能）、
1 个看门狗定时器。
标准的通信接口：
1 个SPI 接口、1 个IIC 接口和2 个UART 接口（其中UART1 支持DMA 工作方式）。
LED 显示功能：
支持多达8COM x 12SEG。
GPIO：
内置30K 上下拉电阻，多个驱动档位可配置，每个IO 都可以作为ADC 的输入，每个IO 都可以作为IO 中断唤醒口。
硬件加速模块：
支持有符号数/无符号数的数学计算功能包括32 位/16 位除法，16 位/16 位除法，16 位x16 位乘法，16 位+16 位加法，16 位-16 位减法，32 位开平方；
支持宽范围电压供电：工作电压为2.4V ~ 5.5V（可以支持电池应用场景），工作温度范围-40℃ ~ +105℃。多种省电工作模式保证低功耗应用的要求，最低功耗模式<5uA。
封装及对应型号：提供SSOP24、SSOP28、QFN24、SSOP24、LQFP32 等多种封装形式，根据不同的封装形式，器件中的外设资源略有不同。
应用场合：
电机控制产品
